В ТУСУРе создан первый в Томске транзистор для СВЧ-наноэлектроники, отвечающий мировым стандартам

Транзистор на базе арсенида галлия изготовлен группой технологов-разработчиков НОЦ «Нанотехнологии» по самой современной гетероструктурной технологии и имеет топологический размер около 100 нанометров, что соответствует мировым стандартам, сообщили в пресс-центре ТУСУРа.

 

Измерения в НОЦ «Нанотехнологии» показали, что транзистор обладает хорошими параметрами и может усиливать сигналы с частотами до 100 Гигагерц и выше. Гетероструктурные транзисторы являются основным элементом наиболее распространенных изделий СВЧ-наноэлектроники – СВЧ монолитных интегральных схем, которые позволяют создать качественно новые радиоэлектронные и телекоммуникационные системы.

 

Далее необходимо оптимизировать конструкцию гетероструктурного транзистора. После этого можно будет поставить технологию транзисторов на поток и начать опытное производство СВЧ интегральных схем на их основе. Интегральные схемы мирового уровня будут производиться совместно с известной фирмой «Микран».

 

Таким образом, разработка ученых ТУСУРа является значительным шагом вперед в развитии отечественной СВЧ-наноэлектроники. Добавим, что у НОЦ «Нанотехнологии» уже есть опыт создания интегральных схем - совместно с Институтом СВЧ полупроводниковой электроники РАН по проекту томичей в январе 2010 был изготовлен первый в России усилитель мощности миллиметрового диапазона волн.

 

Справка: СВЧ-наноэлектроника – одно из приоритетных научных направлений развития ТУСУРа. Изделия СВЧ-наноэлектроники уже применяются в системах космической, спутниковой и мобильной связи, высокоскоростном Интернете, телевидении высокой четкости, СВЧ-радиометрии, глобальной навигации, радиолокации, авионике, электронных средствах вооружений, устройствах для борьбы с терроризмом.